MMRF1013HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 30 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Technology: LDMOS
Gain: 13.3dB
Power - Output: 320W
Configuration: Dual
Frequency: 2.9GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230-4S
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1013HSR5 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 30 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Technology: LDMOS, Gain: 13.3dB, Power - Output: 320W, Configuration: Dual, Frequency: 2.9GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230-4S.
Інші пропозиції MMRF1013HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1013HSR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1013HSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.