MMRF1014NT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1040.00 грн |
| 10+ | 789.56 грн |
| 25+ | 736.69 грн |
| 100+ | 636.72 грн |
| 250+ | 610.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1014NT1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.96GHz, Power - Output: 4W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PLD-1.5, Part Status: Active, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 50 mA.
Інші пропозиції MMRF1014NT1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1014NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 4-Pin T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
MMRF1014NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
товару немає в наявності |
|
 |
MMRF1014NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V |
товару немає в наявності |