MMRF1014NT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1014NT1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PLD-1.5, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.96GHz, Power - Output: 4W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: PLD-1.5, Part Status: Active, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 50 mA.
Інші пропозиції MMRF1014NT1 за ціною від 839.24 грн до 1419.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMRF1014NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MMRF1014NT1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1014NT1 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.96GHz
Power - Output: 4W
Gain: 18dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 68 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1419.46 грн |
| 10+ | 1089.59 грн |
| 25+ | 1020.33 грн |
| 100+ | 886.08 грн |
| 250+ | 852.03 грн |
| 500+ | 839.24 грн |
| MMRF1014NT1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)