MMRF1015NR1 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 270mV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-270
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1218.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1015NR1 NXP
Description: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 270mV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-270, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MMRF1015NR1 за ціною від 955.56 грн до 1529.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1015NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MMRF1015NR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 270mV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMRF1015NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMRF1015NR1 Код товару: 190672 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
MMRF1015NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MMRF1015NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MMRF1015NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MMRF1015NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
товар відсутній |