MMRF1022HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.14GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 500 mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1022HSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.14GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.
Інші пропозиції MMRF1022HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1022HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1022HSR5 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.