MMRF1023HSR5 NXP Semiconductors


mmrf1023hs.pdfwt_assetdocumentationwt_file_format.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET
на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17470.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMRF1023HSR5 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Power - Output: 66W, Gain: 14.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 750 mA.

Інші пропозиції MMRF1023HSR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMRF1023HSR5 MMRF1023HSR5 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.3GHz
Power - Output: 66W
Gain: 14.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 750 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1023HSR5 Виробник : NXP Semiconductors MMRF1023HS-1517289.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.