MMRF1306HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1306HSR5 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4S, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1250W, Gain: 24dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1306HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1306HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V |
товар відсутній |