Технічний опис MMRF1308HR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1308HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1308HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|
|
|
MMRF1308HR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|
| MMRF1308HR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
товар відсутній |