MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10333.38 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 300W, Gain: 26.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1310HR5 за ціною від 7184.55 грн до 10897.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V |
на замовлення 38 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MMRF1310HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10897.24 грн |
| 10+ | 9218.47 грн |
| 25+ | 7669.41 грн |
| 50+ | 7370.30 грн |
| 100+ | 7212.34 грн |
| 250+ | 7196.98 грн |
| 500+ | 7184.55 грн |