MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.5dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 300W, Gain: 26.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1310HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1310HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)