MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.5dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10445.72 грн |
| 10+ | 8498.40 грн |
| 25+ | 8108.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 300W, Gain: 26.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1310HR5 за ціною від 6908.79 грн до 10478.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MMRF1310HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10478.98 грн |
| 10+ | 8864.65 грн |
| 25+ | 7375.04 грн |
| 50+ | 7087.41 грн |
| 100+ | 6935.51 грн |
| 250+ | 6920.74 грн |
| 500+ | 6908.79 грн |