Продукція > NXP USA INC. > MMRF1312GSR5
MMRF1312GSR5

MMRF1312GSR5 NXP USA Inc.

MMRF1312H.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 112 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL
Technology: LDMOS
Gain: 19.6dB
Power - Output: 1000W
Configuration: Dual
Frequency: 1.03GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-1230-4S GW
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMRF1312GSR5 NXP USA Inc.

Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 112 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL, Technology: LDMOS, Gain: 19.6dB, Power - Output: 1000W, Configuration: Dual, Frequency: 1.03GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-1230-4S GW, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MMRF1312GSR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMRF1312GSR5 MMRF1312GSR5 NXP Semiconductors MMRF1312H-3137798.pdf RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1312GSR5 NXP Semiconductors MMRF1312H.pdf RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1312GSR5 MMRF1312H-3137798.pdf
MMRF1312GSR5
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMRF1312GSR5 MMRF1312H.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.