Продукція > NXP USA INC. > MMRF1312HR5

MMRF1312HR5 NXP USA Inc.

Name: MMRF1312HR5
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 12387268-3
Price: 42823.33 UAH
Availability: InStock

Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	42823.33 грн
10+	39997.21 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MMRF1312HR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Part Status: Active, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції MMRF1312HR5

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
MMRF1312HR5	Виробник : NXP Semiconductors	Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230H T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMRF1312HR5	Виробник : NXP USA Inc.	Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
MMRF1312HR5	Виробник : NXP Semiconductors	RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.