Технічний опис MMRF1314GSR5 Freescale Semiconductor - NXP
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs.
Інші пропозиції MMRF1314GSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1314GSR5 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V
RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MMRF1314GSR5 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.


