MMRF1316NR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5540.31 грн |
10+ | 5059.93 грн |
25+ | 4922.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1316NR1 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-4, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 300W, Gain: 27dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270 WB-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1316NR1 за ціною від 6909.1 грн до 6909.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMRF1316NR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MMRF1316NR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R |
товар відсутній |
||||||
MMRF1316NR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R |
товар відсутній |
||||||
MMRF1316NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
||||||
MMRF1316NR1 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V |
товар відсутній |