MMRF1318NR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 900 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 110 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 22dB
Power - Output: 300W
Frequency: 450MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1318NR1 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4, Current - Test: 900 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 110 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-270 WB-4, Technology: LDMOS, Gain: 22dB, Power - Output: 300W, Frequency: 450MHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-270-4, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MMRF1318NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1318NR1 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF1318NR1 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.