Технічний опис MMRF2010GNR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.09GHz, Power - Output: 250W, Gain: 32.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL, Part Status: Active, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 80 mA.
Інші пропозиції MMRF2010GNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF2010GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
MMRF2010GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
MMRF2010GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA |
товару немає в наявності |
|
|
|
MMRF2010GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA |
товару немає в наявності |
|
| MMRF2010GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V |
товару немає в наявності |