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Технічний опис MMRF5014HR5 NXP Semiconductors
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 232W, Bauform - Transistor: NI-360H-2SB, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
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| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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MMRF5014HR5 | NXP |
 Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SBtariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 125V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 232W Bauform - Transistor: NI-360H-2SB Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MMRF5014HR5 |
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Виробник: NXP
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB
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Betriebstemperatur, max.: 225°C
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB
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Produktpalette: -
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на замовлення 1 шт:
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