MMRF5014HR5 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 125V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 232W
Bauform - Transistor: NI-360H-2SB
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5014HR5 NXP
Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 125V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 232W, Bauform - Transistor: NI-360H-2SB, Anzahl der Pins: 2Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Інші пропозиції MMRF5014HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors |
GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF5014HR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)