MMRF5015NR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET HEMT 50V OM270-2
Gain: 16.6dB
Power - Output: 125W
Frequency: 2.5GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 350 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: OM-270-2
Technology: HEMT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5015NR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET HEMT 50V OM270-2, Gain: 16.6dB, Power - Output: 125W, Frequency: 2.5GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-270AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 350 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: OM-270-2, Technology: HEMT.
Інші пропозиції MMRF5015NR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF5015NR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF5015NR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.