Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2SA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 125W, Gain: 17.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V.
Інші пропозиції MMRF5018HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors |
 GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF5018HSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)