на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 27966.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2SA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 125W, Gain: 17.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V.
Інші пропозиції MMRF5018HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF5018HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Power GAN Transistor |
товару немає в наявності |
||
|
|
MMRF5018HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power GAN Transistor |
товару немає в наявності |
|
 |
MMRF5018HSR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2SA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 125W Gain: 17.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2SA Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V |
товару немає в наявності |
|
 |
MMRF5018HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V |
товару немає в наявності |