MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34977.25 грн |
| 10+ | 29815.97 грн |
| 50+ | 25926.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2SA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 125W, Gain: 17.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V.
Інші пропозиції MMRF5018HSR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF5018HSR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2SA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 125W Gain: 17.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2SA Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MMRF5018HSR5 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2SA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz
Power - Output: 125W
Gain: 17.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2SA
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Description: RF MOSFET GAN NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2SA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz
Power - Output: 125W
Gain: 17.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2SA
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.