| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33655.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF5018HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2SA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 125W, Gain: 17.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-400S-2SA, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V.
Інші пропозиції MMRF5018HSR5 за ціною від 27737.24 грн до 37419.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors |
 GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MMRF5018HSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 37419.48 грн |
| 10+ | 31897.83 грн |
| 50+ | 27737.24 грн |