
MMSF7P03HDR2G onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 24 V
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
523+ | 40.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMSF7P03HDR2G onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 24 V.
Інші пропозиції MMSF7P03HDR2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MMSF7P03HDR2G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MMSF7P03HDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
MMSF7P03HDR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |