Продукція > DIODES INCORPORATED > MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F

MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated

ds30173.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.85 грн
6000+3.33 грн
9000+3.14 грн
15000+2.74 грн
21000+2.62 грн
30000+2.50 грн
75000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323, Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SOT-323, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MMST5551Q-7-F за ціною від 2.32 грн до 18.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMST5551Q-7-F MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated DIODS21611_1-2541825.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.70 грн
35+9.30 грн
100+4.22 грн
1000+3.73 грн
3000+2.81 грн
9000+2.39 грн
24000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMST5551Q-7-F MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated ds30173.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 121753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.99 грн
28+11.05 грн
100+6.87 грн
500+4.74 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMST5551Q-7-F DIODS21611_1-2541825.pdf
MMST5551Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.70 грн
35+9.30 грн
100+4.22 грн
1000+3.73 грн
3000+2.81 грн
9000+2.39 грн
24000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMST5551Q-7-F ds30173.pdf
MMST5551Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 121753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.99 грн
28+11.05 грн
100+6.87 грн
500+4.74 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.