Продукція > DIODES INCORPORATED > MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F

MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated

ds30173.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.76 грн
6000+3.25 грн
9000+3.06 грн
15000+2.67 грн
21000+2.55 грн
30000+2.44 грн
75000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції MMST5551Q-7-F за ціною від 4.08 грн до 18.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMST5551Q-7-F MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated ds30173.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 121753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.51 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMST5551Q-7-F MMST5551Q-7-F Diodes Incorporated DIODS21611_1-2541825.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMST5551Q-7-F ds30173.pdf
MMST5551Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 121753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.51 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMST5551Q-7-F DIODS21611_1-2541825.pdf
MMST5551Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.