Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G

MMUN2111LT1G

dta114e-d.pdf
Код товару: 49208
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2111LT1G за ціною від 1.05 грн до 9.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 44150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.04 грн
1000+2.10 грн
15000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 28859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
73+5.72 грн
106+3.93 грн
125+3.32 грн
250+2.67 грн
500+2.26 грн
1000+1.92 грн
3000+1.49 грн
15000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 44150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+9.16 грн
157+5.15 грн
265+3.04 грн
1000+2.10 грн
15000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
55+5.52 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 118564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.64 грн
55+5.86 грн
100+3.17 грн
500+2.34 грн
1000+2.00 грн
3000+1.52 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G ON-Semiconductor dta114e-d.pdf PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25211+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25211+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.72 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G 2353760.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 44150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+3.04 грн
1000+2.10 грн
15000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G DTA114E_MUNx111.PDF
MMUN2111LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 28859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+8.93 грн
73+5.72 грн
106+3.93 грн
125+3.32 грн
250+2.67 грн
500+2.26 грн
1000+1.92 грн
3000+1.49 грн
15000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G 2353760.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 44150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
88+9.16 грн
157+5.15 грн
265+3.04 грн
1000+2.10 грн
15000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.30 грн
55+5.52 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 118564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.64 грн
55+5.86 грн
100+3.17 грн
500+2.34 грн
1000+2.00 грн
3000+1.52 грн
6000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.