Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G ON Semiconductor

dta124e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2112LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2112LT1G за ціною від 0.63 грн до 11.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.06 грн
9000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10564+1.16 грн
13637+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 10564
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.34 грн
6000+2.01 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4399+2.77 грн
7353+1.66 грн
11364+1.07 грн
12932+0.91 грн
15000+0.81 грн
30000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 4399
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI 78656.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi DTA124E_D-2310946.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 17295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
44+7.98 грн
61+5.58 грн
122+2.43 грн
1000+1.84 грн
3000+1.32 грн
9000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 53499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+9.23 грн
96+6.33 грн
107+5.66 грн
225+2.60 грн
250+2.32 грн
500+2.21 грн
1000+1.32 грн
3000+0.85 грн
6000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI 78656.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+11.47 грн
102+8.10 грн
249+3.32 грн
500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 59437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
44+6.97 грн
100+4.32 грн
500+2.94 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G Виробник : ON-Semicoductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI ONSMS38500-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 181517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI dta124e-d.pdf MMUN2112LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
70+4.25 грн
780+1.39 грн
2135+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.