Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G ON Semiconductor

dta124e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2112LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2112LT1G за ціною від 0.63 грн до 12.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.04 грн
6000+1.80 грн
9000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5640+2.18 грн
6356+1.93 грн
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 5640
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 82517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.41 грн
6000+2.07 грн
9000+1.94 грн
15000+1.68 грн
21000+1.60 грн
30000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.55 грн
6466+1.90 грн
9494+1.29 грн
9555+1.24 грн
9616+1.14 грн
15000+1.09 грн
30000+1.08 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.24 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FBCA0D991C6749&compId=MMUN2112.PDF?ci_sign=ed619b6673953b529e8fc35765c09dcf6712059d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
83+5.17 грн
136+2.92 грн
164+2.41 грн
177+2.24 грн
211+1.88 грн
248+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+6.16 грн
158+3.86 грн
196+3.12 грн
252+2.33 грн
258+2.11 грн
500+1.51 грн
1000+1.03 грн
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FBCA0D991C6749&compId=MMUN2112.PDF?ci_sign=ed619b6673953b529e8fc35765c09dcf6712059d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+6.21 грн
82+3.64 грн
99+2.89 грн
106+2.69 грн
127+2.26 грн
149+1.91 грн
776+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.16 грн
110+7.79 грн
194+4.39 грн
500+3.24 грн
1500+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 59437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.30 грн
44+7.19 грн
100+4.45 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi DTA124E_D-1773642.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 16832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.65 грн
45+7.76 грн
100+4.02 грн
500+3.11 грн
1000+2.20 грн
3000+1.90 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G Виробник : ON-Semicoductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.