Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G ON Semiconductor

dta124e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2112LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2112LT1G за ціною від 0.64 грн до 12.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5640+2.15 грн
6356+1.91 грн
9000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 5640
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 82517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
6000+2.05 грн
9000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.41 грн
6000+2.06 грн
9000+1.93 грн
15000+1.67 грн
21000+1.59 грн
30000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.51 грн
6466+1.87 грн
9494+1.28 грн
9555+1.22 грн
9616+1.12 грн
15000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.23 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FBCA0D991C6749&compId=MMUN2112.PDF?ci_sign=ed619b6673953b529e8fc35765c09dcf6712059d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 22kΩ
Base resistor: 22kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
78+5.45 грн
122+3.23 грн
139+2.84 грн
166+2.38 грн
188+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FBCA0D991C6749&compId=MMUN2112.PDF?ci_sign=ed619b6673953b529e8fc35765c09dcf6712059d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 22kΩ
Base resistor: 22kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
47+6.54 грн
74+4.02 грн
84+3.40 грн
100+2.85 грн
113+2.51 грн
500+1.94 грн
776+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+7.01 грн
158+4.40 грн
196+3.55 грн
252+2.65 грн
258+2.40 грн
500+1.72 грн
1000+1.17 грн
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.13 грн
110+7.77 грн
194+4.38 грн
500+3.23 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 59437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.27 грн
44+7.17 грн
100+4.44 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : onsemi DTA124E_D-1773642.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 16832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.61 грн
45+7.74 грн
100+4.01 грн
500+3.10 грн
1000+2.19 грн
3000+1.89 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G Виробник : ON-Semicoductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124ed.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.