Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G ON Semiconductor

dta124e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2112LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції MMUN2112LT1G за ціною від 0.71 грн до 11.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 82517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5435+2.61 грн
7282+1.95 грн
8242+1.72 грн
8475+1.61 грн
8772+1.44 грн
15000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 5435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.88 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4919+2.88 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.26 грн
174+4.36 грн
186+4.07 грн
286+2.55 грн
290+2.33 грн
500+1.67 грн
1000+1.47 грн
3000+1.43 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ONSEMI MMUN2112.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.95 грн
73+5.73 грн
85+4.90 грн
104+4.01 грн
120+3.49 грн
500+2.67 грн
1000+2.32 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 49470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
45+6.66 грн
100+4.11 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G onsemi dta124e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 16753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G ON-Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 82517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.10 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5435+2.61 грн
7282+1.95 грн
8242+1.72 грн
8475+1.61 грн
8772+1.44 грн
15000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 5435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.88 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4919+2.88 грн
6000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+7.26 грн
174+4.36 грн
186+4.07 грн
286+2.55 грн
290+2.33 грн
500+1.67 грн
1000+1.47 грн
3000+1.43 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G MMUN2112.PDF
MMUN2112LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.95 грн
73+5.73 грн
85+4.90 грн
104+4.01 грн
120+3.49 грн
500+2.67 грн
1000+2.32 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 49470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
45+6.66 грн
100+4.11 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 16753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G 2354280.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G 2354280.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G 2354280.pdf
MMUN2112LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2112LT1G dta124e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.