Продукція > ONSEMI > MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G

MMUN2113LT3G onsemi

dta144e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.99 грн
20000+1.72 грн
30000+1.62 грн
50000+1.42 грн
70000+1.36 грн
100000+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2113LT3G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції MMUN2113LT3G за ціною від 1.44 грн до 12.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G Виробник : onsemi DTA144E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 31536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.24 грн
49+7.25 грн
100+3.95 грн
500+2.81 грн
1000+2.20 грн
5000+1.90 грн
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G Виробник : onsemi dta144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 118099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.33 грн
44+7.28 грн
100+4.47 грн
500+3.04 грн
1000+2.67 грн
2000+2.35 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G Виробник : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G dta144e-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G Виробник : ON Semiconductor dta144e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2113LT3G MMUN2113LT3G Виробник : ONSEMI dta144e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.