Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MMUN2114LT1G

MMUN2114LT1G

dta114y-d.pdf
Код товару: 152085
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2114LT1G за ціною від 1.51 грн до 12.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7654+1.84 грн
12000+1.66 грн
27000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 7654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 14251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.01 грн
52+5.71 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.64 грн
97+7.77 грн
98+7.70 грн
156+4.63 грн
250+4.26 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G onsemi dta114y-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ONSEMI 2237089.pdf Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ONSEMI 2237089.pdf Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7654+1.84 грн
12000+1.66 грн
27000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 7654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 14251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.01 грн
52+5.71 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+12.64 грн
97+7.77 грн
98+7.70 грн
156+4.63 грн
250+4.26 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G 2237089.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2114LT1G 2237089.pdf
MMUN2114LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.