MMUN2114LT1G ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 0.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2114LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції MMUN2114LT1G за ціною від 0.74 грн до 10.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMUN2114LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMUN2114LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 39410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMUN2114LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 80...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 80...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 27498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMUN2114LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 30482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 39410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMUN2114LT1G Код товару: 152085 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
MMUN2114LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
MMUN2114LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |