Продукція > ONSEMI > MMUN2130LT1G
MMUN2130LT1G

MMUN2130LT1G onsemi

dta113e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.39 грн
6000+2.18 грн
9000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2130LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції MMUN2130LT1G за ціною від 1.32 грн до 15.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G Виробник : onsemi dta113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 29673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
33+9.43 грн
100+5.10 грн
500+3.76 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G Виробник : onsemi DTA113E_D-2310745.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 8080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.19 грн
34+9.98 грн
100+3.97 грн
1000+2.35 грн
3000+1.99 грн
9000+1.47 грн
45000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2130LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 289274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G Виробник : ON Semiconductor dta113e-d.pdf
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G Виробник : ON Semiconductor dta113e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G Виробник : ON Semiconductor dta113e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G Виробник : ONSEMI dta113e-d.pdf MMUN2130LT1G PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.