Продукція > ONSEMI > MMUN2130LT1G
MMUN2130LT1G

MMUN2130LT1G onsemi

dta113e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.38 грн
6000+2.17 грн
9000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2130LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції MMUN2130LT1G за ціною від 1.62 грн до 13.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G onsemi DTA113E_D-1387744.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.47 грн
48+6.87 грн
100+3.66 грн
500+2.60 грн
1000+2.04 грн
3000+1.83 грн
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G MMUN2130LT1G onsemi dta113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 29673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.45 грн
33+9.37 грн
100+5.07 грн
500+3.74 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G ON Semiconductor dta113e-d.pdf
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G DTA113E_D-1387744.pdf
MMUN2130LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 7807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+12.47 грн
48+6.87 грн
100+3.66 грн
500+2.60 грн
1000+2.04 грн
3000+1.83 грн
6000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G dta113e-d.pdf
MMUN2130LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 29673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.45 грн
33+9.37 грн
100+5.07 грн
500+3.74 грн
1000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2130LT1G dta113e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.