MMUN2130LT1G ON Semiconductor
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13275+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2130LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.
Інші пропозиції MMUN2130LT1G за ціною від 1.75 грн до 13.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMUN2130LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2130LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2130LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2130LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2130LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 7807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2130LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
на замовлення 29673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2130LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 289274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
MMUN2130LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2130LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |