MMUN2131LT1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11112+ | 1.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2131LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMUN2131LT1G за ціною від 1.21 грн до 13.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 648000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2131LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 16905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMUN2131LT1G | Виробник : ONSEMI |
MMUN2131LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MMUN2131LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |