MMUN2132LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10274+ | 1.21 грн |
| 10715+ | 1.16 грн |
| 15000+ | 1.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2132LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMUN2132LT1G за ціною від 0.89 грн до 12.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 286000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 12949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 7684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMUN2132LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 495200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MMUN2132LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |



