MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G ON Semiconductor


dta143e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 57000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2132LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2132LT1G за ціною від 0.81 грн до 9.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
584+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 584
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.03 грн
12000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10870+1.12 грн
13889+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 10870
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor 78742086119902dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.59 грн
6000+1.45 грн
9000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.16 грн
1500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi DTA143E_D-2310818.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 10894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.75 грн
55+6.18 грн
118+2.50 грн
1000+1.54 грн
3000+1.32 грн
9000+1.03 грн
24000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.49 грн
181+4.57 грн
338+2.44 грн
500+2.16 грн
1500+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 30138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
49+6.28 грн
100+3.38 грн
500+2.50 грн
1000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809227-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 495200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI dta143e-d.pdf MMUN2132LT1G PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.