Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2132LT1G
MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G ON Semiconductor

dta143e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.11 грн
6000+1.10 грн
9000+1.06 грн
15000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2132LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2132LT1G за ціною від 0.75 грн до 12.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10274+1.18 грн
10715+1.14 грн
15000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 10274
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor 78742086119902dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.58 грн
6000+1.44 грн
9000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.16 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 286000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+4.52 грн
247+2.45 грн
385+1.57 грн
556+1.05 грн
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.47 грн
181+4.56 грн
338+2.44 грн
500+2.16 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 30138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
49+6.27 грн
100+3.37 грн
500+2.49 грн
1000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : onsemi DTA143E_D-1773619.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.24 грн
52+6.58 грн
100+3.60 грн
500+2.50 грн
1000+1.98 грн
3000+1.61 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809227-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 495200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FBE3909F056749&compId=MMUN2132.PDF?ci_sign=2fac27d415e05e3e7222b4f3a06da0eaac99c35a Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FBE3909F056749&compId=MMUN2132.PDF?ci_sign=2fac27d415e05e3e7222b4f3a06da0eaac99c35a Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.