Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2132LT1G
MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G ON Semiconductor

dta143e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10274+1.37 грн
10345+1.36 грн
10715+1.32 грн
15000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 10274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2132LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2132LT1G за ціною від 0.94 грн до 10.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.38 грн
6000+1.37 грн
9000+1.33 грн
15000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 286000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+5.64 грн
247+3.06 грн
385+1.96 грн
556+1.31 грн
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 20861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.17 грн
50+6.10 грн
100+3.74 грн
500+2.55 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G onsemi DTA143E_D-1773619.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ONSEMI 2354489.pdf Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G MMUN2132LT1G ON Semiconductor dta143e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G ONN dta143e-d.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809227-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 495200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.38 грн
6000+1.37 грн
9000+1.33 грн
15000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 286000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13275+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+5.64 грн
247+3.06 грн
385+1.96 грн
556+1.31 грн
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 20861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.17 грн
50+6.10 грн
100+3.74 грн
500+2.55 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G DTA143E_D-1773619.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G 2354489.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G 2354489.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
MMUN2132LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2132LT1G ONSM-S-A0002809227-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2132LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 495200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.