MMUN2133LT1G ON Semiconductor
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17442+ | 0.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2133LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMUN2133LT1G за ціною від 0.73 грн до 426.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 29571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 34137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 10152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| MMUN2133LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2133LT1G TMMUN2133кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
MMUN2133LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |




