Продукція > ONSEMI > MMUN2134LT1G
MMUN2134LT1G

MMUN2134LT1G onsemi


dta124x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.36 грн
6000+2.15 грн
9000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2134LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMUN2134LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMUN2134LT1G за ціною від 1.53 грн до 13.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124x-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
100000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124x-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 223518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
100000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124x-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : onsemi DTA124X_D-1773706.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 18103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.36 грн
44+7.30 грн
100+3.97 грн
500+2.86 грн
1000+2.02 грн
3000+1.74 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2134LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.36 грн
110+7.42 грн
176+4.64 грн
500+3.09 грн
1000+2.52 грн
5000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 19190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.33 грн
33+9.29 грн
100+5.02 грн
500+3.70 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Виробник : ON Semiconductor dta124x-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.