Продукція > ONSEMI > MMUN2135LT1G
MMUN2135LT1G

MMUN2135LT1G onsemi

dta123j-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.58 грн
6000+1.44 грн
9000+1.23 грн
30000+1.07 грн
75000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2135LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2135LT1G за ціною від 1.69 грн до 13.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ONSEMI 2355580.pdf Description: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.84 грн
1000+2.09 грн
5000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : onsemi dta123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 101808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.53 грн
49+6.27 грн
100+3.37 грн
500+2.49 грн
1000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ONSEMI 2355580.pdf Description: ONSEMI - MMUN2135LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.77 грн
118+7.00 грн
191+4.32 грн
500+2.84 грн
1000+2.09 грн
5000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : onsemi DTA123J_D-1387683.pdf Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 8979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.01 грн
48+7.17 грн
100+3.82 грн
500+2.72 грн
1000+2.13 грн
3000+1.91 грн
6000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ON Semiconductor dta123j-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ONSEMI dta123j-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2135LT1G MMUN2135LT1G Виробник : ONSEMI dta123j-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.