
MMUN2137LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.59 грн |
6000+ | 1.45 грн |
9000+ | 1.23 грн |
30000+ | 1.07 грн |
75000+ | 0.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2137LT1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції MMUN2137LT1G за ціною від 0.69 грн до 14.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMUN2137LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 148818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2137LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2137LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2137LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Mounting: SMD |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MMUN2137LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2137LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2137LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |