Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2211LT3G
MMUN2211LT3G

MMUN2211LT3G ON Semiconductor

dtc114ed.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11030+1.28 грн
30000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 11030
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2211LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MUN2211 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції MMUN2211LT3G за ціною від 1.23 грн до 9.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.43 грн
20000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.92 грн
168+4.90 грн
254+3.24 грн
1000+1.81 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+7.92 грн
168+4.90 грн
254+3.24 грн
1000+1.81 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 128740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.49 грн
55+5.64 грн
100+3.47 грн
500+2.35 грн
1000+2.05 грн
2000+1.81 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 23776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.85 грн
55+5.98 грн
100+3.23 грн
500+2.39 грн
1000+1.83 грн
5000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.43 грн
20000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+7.92 грн
168+4.90 грн
254+3.24 грн
1000+1.81 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+7.92 грн
168+4.90 грн
254+3.24 грн
1000+1.81 грн
5000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 128740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.49 грн
55+5.64 грн
100+3.47 грн
500+2.35 грн
1000+2.05 грн
2000+1.81 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 23776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.85 грн
55+5.98 грн
100+3.23 грн
500+2.39 грн
1000+1.83 грн
5000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2211LT3G dtc114ed.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.