Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2212LT1G
MMUN2212LT1G

MMUN2212LT1G ON Semiconductor

dtc124e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2212LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2212LT1G за ціною від 0.68 грн до 11.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.62 грн
6000+0.96 грн
9000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.34 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI DTC124E_MUNx212.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.59 грн
109+3.52 грн
148+2.60 грн
210+1.83 грн
866+1.03 грн
2381+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI DTC124E_MUNx212.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
38+7.90 грн
66+4.38 грн
89+3.12 грн
126+2.19 грн
866+1.24 грн
2381+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.32 грн
49+6.27 грн
100+3.85 грн
500+2.61 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 18080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.62 грн
57+5.99 грн
130+2.28 грн
1000+2.13 грн
3000+1.47 грн
24000+1.17 грн
45000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI 2237087.pdf Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.03 грн
140+5.89 грн
318+2.59 грн
500+2.34 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.