Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2212LT1G
MMUN2212LT1G

MMUN2212LT1G ON Semiconductor

dtc124ed.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25211+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2212LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMUN2212LT1G за ціною від 0.89 грн до 22.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.41 грн
100000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ON Semiconductor dtc124ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25211+1.41 грн
100000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 62470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ONSEMI DTC124E_MUNx212.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 22kΩ
Base resistor: 22kΩ
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.95 грн
81+5.15 грн
146+2.86 грн
500+1.90 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 62704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
55+5.53 грн
100+3.42 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G onsemi dtc124e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
39+8.18 грн
100+3.80 грн
500+2.62 грн
1000+2.28 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G MMUN2212LT1G ONSEMI dtc124e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.79 грн
86+9.42 грн
161+5.03 грн
500+3.20 грн
1000+2.55 грн
5000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G ON-Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124ed.pdf
MMUN2212LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25211+1.41 грн
100000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124ed.pdf
MMUN2212LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25211+1.41 грн
100000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 25211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
MMUN2212LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 62470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.73 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G DTC124E_MUNx212.PDF
MMUN2212LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 22kΩ
Base resistor: 22kΩ
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+8.95 грн
81+5.15 грн
146+2.86 грн
500+1.90 грн
1000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
MMUN2212LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 62704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.32 грн
55+5.53 грн
100+3.42 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
MMUN2212LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.05 грн
39+8.18 грн
100+3.80 грн
500+2.62 грн
1000+2.28 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
MMUN2212LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
36+22.79 грн
86+9.42 грн
161+5.03 грн
500+3.20 грн
1000+2.55 грн
5000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.