MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G ON Semiconductor


dtc144e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2213LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MMUN2213LT1G за ціною від 0.65 грн до 9.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 972000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48000+0.85 грн
75000+ 0.84 грн
150000+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 48000
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.45 грн
6000+ 1.32 грн
9000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.47 грн
9000+ 1.08 грн
45000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI DTC144E_MUNx213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+2.45 грн
221+ 1.57 грн
500+ 1.26 грн
766+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 152
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2654649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4630+2.48 грн
7500+ 1.53 грн
9934+ 1.16 грн
13044+ 0.85 грн
45000+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 4630
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI DTC144E_MUNx213.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
92+2.94 грн
133+ 1.95 грн
500+ 1.52 грн
766+ 1.25 грн
2107+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 92
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI 1713961.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2654649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+7.77 грн
118+ 4.85 грн
247+ 2.31 грн
1000+ 1.37 грн
3000+ 0.96 грн
9000+ 0.7 грн
45000+ 0.65 грн
Мінімальне замовлення: 74
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 20074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.61 грн
49+ 5.73 грн
100+ 3.08 грн
500+ 2.27 грн
1000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi DTC144E_D-2310824.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 32032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+8.66 грн
55+ 5.57 грн
115+ 2.32 грн
1000+ 1.33 грн
3000+ 1.19 грн
9000+ 0.86 грн
45000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI 1713961.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+9.07 грн
116+ 6.46 грн
185+ 4.03 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 82
MMUN2213LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G
Код товару: 61591
dtc144e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній