Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2213LT1G
MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G

dtc144e-d.pdf
Код товару: 61591
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2213LT1G за ціною від 0.96 грн до 10.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1606900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14706+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1606900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+2.12 грн
602+1.25 грн
785+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
50+5.97 грн
100+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G onsemi dtc144e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.37 грн
50+6.42 грн
100+3.44 грн
500+2.48 грн
1000+2.20 грн
3000+1.65 грн
6000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G ON-Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144ed.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1606900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14706+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144ed.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1606900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
356+2.12 грн
602+1.25 грн
785+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.07 грн
50+5.97 грн
100+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.37 грн
50+6.42 грн
100+3.44 грн
500+2.48 грн
1000+2.20 грн
3000+1.65 грн
6000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144ed.pdf
MMUN2213LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.