Продукція > ONSEMI > MMUN2213LT1G
MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689DA55A44D8745&compId=DTC144E_MUNx213.PDF?ci_sign=452fdfb4e2b4144e4c35bb51e561c0e365c8a319 Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.02 грн
64+6.12 грн
89+4.40 грн
102+3.82 грн
500+2.77 грн
772+1.17 грн
2125+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2213LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2213LT1G за ціною від 0.37 грн до 12.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G
Код товару: 61591
Додати до обраних Обраний товар

dtc144e-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24194+0.50 грн
31915+0.38 грн
96000+0.37 грн
Мінімальне замовлення: 24194
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2569167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14706+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 14706
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750033-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.00 грн
6000+1.71 грн
9000+1.60 грн
15000+1.39 грн
21000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2569167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.02 грн
466+1.30 грн
785+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 74800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.94 грн
1500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.46 грн
52+6.05 грн
100+3.72 грн
500+2.53 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.44 грн
120+6.99 грн
194+4.31 грн
500+2.94 грн
1500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : onsemi DTC144E_D-1387481.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 27568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.55 грн
49+7.02 грн
100+3.72 грн
500+2.75 грн
1000+2.01 грн
3000+1.64 грн
6000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689DA55A44D8745&compId=DTC144E_MUNx213.PDF?ci_sign=452fdfb4e2b4144e4c35bb51e561c0e365c8a319 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.02 грн
38+7.63 грн
53+5.28 грн
100+4.59 грн
500+3.32 грн
772+1.40 грн
2125+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.