Купить MMUN2213LT1G - Транзисторы - Биполярные NPN

Наименование: MMUN2213LT1G

код товара: 61591
MMUN2213LT1G

DOWNLOAD DTC144E-D.PDF

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G
код товара: 61591
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Биполярные NPN
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3; Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236); Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 246mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 47k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 47k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 39200 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3; Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236); Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 246mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 47k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 47k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 39200 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3; Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236); Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 246mW; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 47k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 47k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 36000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
MMUN2213LT1G ON SEMICONDUCTOR Manufacturer Part Number: MMUN2213LT1G NPN SMD Transistors под заказ 4295 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
28+ 1.62 грн
100+ 0.91 грн
105+ 0.59 грн
1467+ 0.56 грн
MMUN2213LT1G ONS SOT-23-3 (TO-236) Цифровой биполярный транзистор, NPN Китай под заказ 9740 шт
срок поставки 8-10 дней дня (дней)
MMUN2213LT1G 'ONSEMI' 'Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R'
количество в упаковке: 3000 шт
под заказ 186000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN под заказ 20569 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
1+ 5.04 грн
10+ 4.25 грн
100+ 1.53 грн
1000+ 0.99 грн
3000+ 0.74 грн
MMUN2213LT1G под заказ 18975 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
MMUN2213LT1G ON MMUN2213LT1G Tranz. MMUN2213LT1G SOT23-3 TMMUN2213
количество в упаковке: 100 шт
под заказ 100 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
419+ 0.81 грн

Техническое описание MMUN2213LT1G

Цена MMUN2213LT1G

от 0.56 грн до 5.04 грн
Asers Shop ©