Інші пропозиції MMUN2213LT1G за ціною від 2.13 грн до 14.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMUN2213LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 328889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 25 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 328889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MMUN2213LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 134 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MMUN2213LT1G | ON-Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 328889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3580+ | 3.99 грн |
| 4066+ | 3.51 грн |
| 5377+ | 2.65 грн |
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.25 грн |
| 38+ | 8.09 грн |
| 100+ | 4.47 грн |
| 500+ | 3.22 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| 3000+ | 2.13 грн |
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1010+ | 14.14 грн |
| 1011+ | 14.12 грн |
| 1013+ | 14.10 грн |
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.17 грн |
| 100+ | 13.65 грн |
| 250+ | 12.62 грн |
| 500+ | 12.10 грн |
| 1000+ | 12.08 грн |
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 328889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.24 грн |
| 86+ | 8.92 грн |
| 139+ | 5.51 грн |
| 500+ | 3.84 грн |
| 1000+ | 3.13 грн |
| 3000+ | 2.27 грн |
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.33 грн |
| 91+ | 8.45 грн |
| 141+ | 5.42 грн |
| 500+ | 3.85 грн |
| 1000+ | 3.02 грн |
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMUN2213LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.09 грн |
З цим товаром купують
| AD5724RBREZ Код товару: 221493
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| B130LB-13-F Код товару: 221491
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LM2902KAVQDR Код товару: 221490
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ADG1414BRUZ Код товару: 221489
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCP16301HT-E/CH Код товару: 115287
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





