Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2214LT1G
MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G ON Semiconductor

dtc114y-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2214LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2214LT1G за ціною від 0.98 грн до 10.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.82 грн
6000+1.56 грн
9000+1.45 грн
15000+1.26 грн
21000+1.19 грн
30000+1.13 грн
75000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5120+2.42 грн
6000+2.11 грн
9000+1.63 грн
27000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 5120
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.48 грн
6000+2.19 грн
9000+2.05 грн
15000+1.82 грн
21000+1.60 грн
30000+1.46 грн
75000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.66 грн
6000+2.36 грн
9000+2.20 грн
15000+1.96 грн
21000+1.72 грн
30000+1.57 грн
75000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.87 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB7F8ADE830749&compId=MMUN2214.PDF?ci_sign=0e9354d1b00e8bbbd8e3b4f8453e634b866a26d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 13401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.71 грн
75+5.33 грн
131+3.05 грн
200+2.56 грн
500+2.07 грн
1000+1.77 грн
1500+1.62 грн
3000+1.42 грн
6000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 97037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.09 грн
58+5.49 грн
100+3.40 грн
500+2.30 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB7F8ADE830749&compId=MMUN2214.PDF?ci_sign=0e9354d1b00e8bbbd8e3b4f8453e634b866a26d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.25 грн
45+6.64 грн
100+3.66 грн
200+3.07 грн
500+2.48 грн
1000+2.13 грн
1500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : onsemi DTC114Y-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 32213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.98 грн
58+6.15 грн
100+3.36 грн
500+2.44 грн
1000+2.14 грн
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+10.79 грн
127+6.78 грн
201+4.27 грн
500+2.87 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.