Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2214LT1G
MMUN2214LT1G

MMUN2214LT1G ON Semiconductor

dtc114yd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.38 грн
6000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2214LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MMUN2214LT1G за ціною від 1.13 грн до 20.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10205+1.39 грн
10345+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.01 грн
9000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.60 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G On Semiconductor MMUN2211LT1-D.pdf TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
на замовлення 69 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
69+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI MMUN2214.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 20951 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.05 грн
81+5.15 грн
123+3.39 грн
149+2.80 грн
200+2.31 грн
500+1.85 грн
1000+1.55 грн
1500+1.43 грн
3000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
55+5.53 грн
100+3.40 грн
500+2.30 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ONSEMI 2353855.pdf Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.07 грн
158+5.10 грн
207+3.91 грн
500+2.60 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G onsemi dtc114y-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 10162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
39+8.18 грн
100+3.80 грн
500+2.62 грн
1000+2.28 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214LT1G ON Semiconductor dtc114yd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G ON-Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G ON-Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114yd.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10205+1.39 грн
10345+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.72 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G 2353855.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.01 грн
9000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114yd.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.51 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G 2353855.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.60 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2211LT1-D.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: On Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
на замовлення 69 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
69+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G MMUN2214.PDF
MMUN2214LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 20951 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
56+8.05 грн
81+5.15 грн
123+3.39 грн
149+2.80 грн
200+2.31 грн
500+1.85 грн
1000+1.55 грн
1500+1.43 грн
3000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
34+9.32 грн
55+5.53 грн
100+3.40 грн
500+2.30 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G 2353855.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
80+10.07 грн
158+5.10 грн
207+3.91 грн
500+2.60 грн
1500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 10162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.05 грн
39+8.18 грн
100+3.80 грн
500+2.62 грн
1000+2.28 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114yd.pdf
MMUN2214LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2214LT1G dtc114y-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.