Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2216LT1G
MMUN2216LT1G

MMUN2216LT1G ON Semiconductor

mmun2211lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2216LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2216LT1G за ціною від 1.34 грн до 56.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9260+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 9260
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.21 грн
6000+1.90 грн
9000+1.78 грн
15000+1.54 грн
21000+1.46 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.33 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB89D27476A749&compId=MMUN2216.PDF?ci_sign=9cb99a0d01327e3ac976918237a060167b6c6810 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
66+6.15 грн
96+4.24 грн
112+3.63 грн
500+2.56 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB89D27476A749&compId=MMUN2216.PDF?ci_sign=9cb99a0d01327e3ac976918237a060167b6c6810 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.50 грн
40+7.66 грн
58+5.08 грн
100+4.36 грн
500+3.08 грн
1000+2.67 грн
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 44512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.76 грн
49+6.63 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : onsemi DTC143T-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 25786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.50 грн
49+7.41 грн
100+4.04 грн
500+2.87 грн
1000+2.56 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G MMUN2216LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 40830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.32 грн
109+8.00 грн
174+5.01 грн
500+3.33 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
кількість в упаковці: 90 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2216LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143t-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.