MMUN2217LT1G

MMUN2217LT1G ON Semiconductor


dtc143x-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2217LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції MMUN2217LT1G за ціною від 1.64 грн до 11.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.12 грн
52+6.34 грн
100+3.89 грн
500+2.64 грн
1000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : onsemi DTC143X-D.PDF Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.90 грн
52+7.00 грн
100+3.72 грн
500+2.85 грн
1000+2.29 грн
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G Виробник : ONSEMI dtc143x-d.pdf MMUN2217LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.46 грн
675+1.74 грн
1855+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : ON Semiconductor 347424623673141dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.