Продукція > ONSEMI > MMUN2217LT1G
MMUN2217LT1G

MMUN2217LT1G onsemi

dtc143x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2217LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції MMUN2217LT1G за ціною від 1.19 грн до 10.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5337000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6727+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 6727
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5337000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.55 грн
6000+2.25 грн
9000+2.08 грн
15000+1.96 грн
21000+1.73 грн
30000+1.57 грн
75000+1.39 грн
150000+1.28 грн
300000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : ONSEMI dtc143x-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.04 грн
87+4.87 грн
138+3.05 грн
500+2.32 грн
1000+2.08 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.20 грн
52+5.82 грн
100+3.57 грн
500+2.42 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.49 грн
52+6.17 грн
100+3.28 грн
500+2.37 грн
1000+2.02 грн
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.