Продукція > ONSEMI > MMUN2217LT1G
MMUN2217LT1G

MMUN2217LT1G onsemi

dtc143x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2217LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Resistors Included: R1 and R2, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Power - Max: 246 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active.

Інші пропозиції MMUN2217LT1G за ціною від 1.20 грн до 10.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G ON Semiconductor dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5337000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 6727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G ON Semiconductor dtc143x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5337000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
6000+2.29 грн
9000+2.12 грн
15000+1.99 грн
21000+1.76 грн
30000+1.60 грн
75000+1.41 грн
150000+1.30 грн
300000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.01 грн
52+5.71 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G MMUN2217LT1G onsemi dtc143x-d.pdf Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5337000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6727+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 6727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5337000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.59 грн
6000+2.29 грн
9000+2.12 грн
15000+1.99 грн
21000+1.76 грн
30000+1.60 грн
75000+1.41 грн
150000+1.30 грн
300000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+10.01 грн
52+5.71 грн
100+3.50 грн
500+2.37 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2217LT1G dtc143x-d.pdf
MMUN2217LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.