Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2230LT1G
MMUN2230LT1G

MMUN2230LT1G ON Semiconductor

dtc113ed.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9934+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 9934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2230LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2230LT1G за ціною від 1.14 грн до 10.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.09 грн
6000+1.79 грн
9000+1.67 грн
15000+1.45 грн
21000+1.38 грн
30000+1.31 грн
75000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 113685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.95 грн
49+6.25 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113ed.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.09 грн
6000+1.79 грн
9000+1.67 грн
15000+1.45 грн
21000+1.38 грн
30000+1.31 грн
75000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 113685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.95 грн
49+6.25 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113ed.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G 2355688.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G 2355688.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.