Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2230LT1G
MMUN2230LT1G

MMUN2230LT1G ON Semiconductor

dtc113e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2230LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MMUN2230LT1G за ціною від 0.79 грн до 11.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+1.96 грн
564+1.07 грн
572+1.05 грн
576+1.01 грн
684+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 36297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.62 грн
60+5.65 грн
118+2.50 грн
1000+2.13 грн
3000+1.61 грн
24000+1.54 грн
45000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.77 грн
113+7.31 грн
181+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
45+6.80 грн
100+4.18 грн
500+2.84 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ONSEMI 2355688.pdf Description: ONSEMI - MMUN2230LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ONSEMI dtc113e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Current gain: 3...5
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G Виробник : ONSEMI dtc113e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Current gain: 3...5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.