Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2230LT1G
MMUN2230LT1G

MMUN2230LT1G ON Semiconductor

dtc113ed.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9934+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 9934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2230LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Power - Max: 246 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MMUN2230LT1G за ціною від 1.13 грн до 10.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
6000+1.78 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
21000+1.37 грн
30000+1.30 грн
75000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.39 грн
49+6.59 грн
100+3.52 грн
500+2.55 грн
1000+2.21 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 113685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
49+6.21 грн
100+3.83 грн
500+2.61 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G MMUN2230LT1G ON Semiconductor dtc113ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113ed.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.07 грн
6000+1.78 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
21000+1.37 грн
30000+1.30 грн
75000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
32+10.39 грн
49+6.59 грн
100+3.52 грн
500+2.55 грн
1000+2.21 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113e-d.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 113685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+10.87 грн
49+6.21 грн
100+3.83 грн
500+2.61 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2230LT1G dtc113ed.pdf
MMUN2230LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.