Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MMUN2231LT1G

MMUN2231LT1G

dtc123e-d.pdf
Код товару: 130507
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMUN2231LT1G за ціною від 1.09 грн до 10.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.76 грн
9000+1.65 грн
15000+1.43 грн
21000+1.36 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6727+2.09 грн
9000+1.87 грн
27000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 6727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
6000+2.46 грн
9000+2.42 грн
15000+2.01 грн
21000+1.85 грн
30000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5034+2.79 грн
6000+2.46 грн
9000+2.42 грн
15000+2.01 грн
21000+1.85 грн
30000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 5034 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.45 грн
15000+2.04 грн
21000+1.88 грн
30000+1.61 грн
75000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ON Semiconductor dtc123ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4902+2.87 грн
6000+2.52 грн
9000+2.47 грн
15000+2.06 грн
21000+1.90 грн
30000+1.62 грн
75000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 4902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 52077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.78 грн
49+6.15 грн
100+3.80 грн
500+2.58 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G onsemi dtc123e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 16716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G MMUN2231LT1G ONSEMI 2355437.pdf Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G ON-Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
600+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.06 грн
6000+1.76 грн
9000+1.65 грн
15000+1.43 грн
21000+1.36 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6727+2.09 грн
9000+1.87 грн
27000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 6727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.79 грн
6000+2.46 грн
9000+2.42 грн
15000+2.01 грн
21000+1.85 грн
30000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5034+2.79 грн
6000+2.46 грн
9000+2.42 грн
15000+2.01 грн
21000+1.85 грн
30000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 5034 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.45 грн
15000+2.04 грн
21000+1.88 грн
30000+1.61 грн
75000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123ed.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4902+2.87 грн
6000+2.52 грн
9000+2.47 грн
15000+2.06 грн
21000+1.90 грн
30000+1.62 грн
75000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 4902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 52077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.78 грн
49+6.15 грн
100+3.80 грн
500+2.58 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 16716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G 2355437.pdf
MMUN2231LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2231LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2231LT1G dtc123e-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2231LT1G TMMUN2231
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.