Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2233LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції MMUN2233LT1G за ціною від 0.77 грн до 10.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13393+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 13393
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9616+1.21 грн
9869+ 1.18 грн
10136+ 1.15 грн
Мінімальне замовлення: 9616
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.24 грн
6000+ 1.05 грн
12000+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.34 грн
9000+ 1.11 грн
24000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8671+1.34 грн
10205+ 1.14 грн
14019+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 8671
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.44 грн
6000+ 1.32 грн
9000+ 1.12 грн
30000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7426+1.56 грн
7538+ 1.54 грн
7693+ 1.51 грн
7854+ 1.43 грн
15000+ 1.3 грн
30000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 7426
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 1003211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.6 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+3.05 грн
240+ 1.49 грн
500+ 1.34 грн
780+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 140
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+3.66 грн
140+ 1.86 грн
500+ 1.61 грн
780+ 1.23 грн
2160+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 80
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+5.51 грн
158+ 3.64 грн
160+ 3.61 грн
387+ 1.43 грн
393+ 1.31 грн
500+ 1.24 грн
1000+ 1.23 грн
3000+ 1.2 грн
6000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 105
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi DTC143Z_D-2310985.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 159219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.88 грн
55+ 5.56 грн
115+ 2.32 грн
1000+ 1.33 грн
3000+ 1.13 грн
9000+ 1.06 грн
24000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 49381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.6 грн
49+ 5.73 грн
100+ 3.08 грн
500+ 2.27 грн
1000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 1003211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+10.78 грн
106+ 7.07 грн
260+ 2.86 грн
500+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 69
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMUN2233LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1 грн
Мінімальне замовлення: 1000