Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2233LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2233LT1G за ціною від 0.57 грн до 10.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2361000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.27 грн
6000+1.21 грн
9000+0.92 грн
15000+0.88 грн
21000+0.70 грн
30000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9147+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2361000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8929+1.37 грн
9375+1.30 грн
12296+0.99 грн
15000+0.95 грн
21000+0.76 грн
30000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 8929
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.50 грн
6000+1.44 грн
9000+1.08 грн
15000+1.03 грн
21000+0.82 грн
30000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8109+1.50 грн
8475+1.44 грн
9000+1.42 грн
27000+1.30 грн
51000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 8109
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.58 грн
9000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7010+1.74 грн
7390+1.65 грн
7813+1.56 грн
8288+1.42 грн
15000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 7010
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.87 грн
6000+1.60 грн
9000+1.50 грн
15000+1.30 грн
21000+1.23 грн
30000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 945377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.15 грн
1000+1.74 грн
5000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+4.71 грн
214+2.82 грн
218+2.77 грн
351+1.66 грн
354+1.52 грн
500+1.39 грн
1000+1.31 грн
3000+1.24 грн
6000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 945377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+9.41 грн
148+5.58 грн
239+3.46 грн
500+2.15 грн
1000+1.74 грн
5000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 34968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
55+5.67 грн
100+3.49 грн
500+2.37 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi DTC143Z_D-1773621.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 66701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.64 грн
55+6.26 грн
100+3.46 грн
500+2.57 грн
1000+1.99 грн
3000+1.40 грн
6000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB9527C7208749&compId=MMUN2233.PDF?ci_sign=08b2a3b9664416be7ac0e49a267779ec25584bb6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB9527C7208749&compId=MMUN2233.PDF?ci_sign=08b2a3b9664416be7ac0e49a267779ec25584bb6 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.