Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2233LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2233LT1G за ціною від 0.81 грн до 11.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2436000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2436000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12296+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 12296
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8621+1.41 грн
11719+1.04 грн
11812+1.03 грн
11905+0.99 грн
15000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 8621
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 949229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.81 грн
1000+1.11 грн
5000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.07 грн
6000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4839+2.52 грн
6073+2.00 грн
9000+1.70 грн
27000+1.43 грн
51000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 4839
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+4.34 грн
206+2.93 грн
208+2.90 грн
334+1.74 грн
337+1.60 грн
500+1.12 грн
1000+0.83 грн
3000+0.82 грн
6000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
54+7.74 грн
103+3.75 грн
142+2.71 грн
164+2.34 грн
500+1.54 грн
788+1.13 грн
2164+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 949229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.87 грн
205+4.02 грн
388+2.12 грн
500+1.81 грн
1000+1.11 грн
5000+1.06 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2233.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
32+9.29 грн
62+4.67 грн
85+3.25 грн
100+2.81 грн
500+1.84 грн
788+1.36 грн
2164+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 99956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.76 грн
52+6.50 грн
115+2.57 грн
1000+1.91 грн
3000+1.17 грн
9000+0.95 грн
24000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
49+6.27 грн
100+3.85 грн
500+2.61 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2233LT1G MMUN2233LT1G Виробник : ONSEMI 2353985.pdf Description: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.