Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2234LT1G
MMUN2234LT1G

MMUN2234LT1G ON Semiconductor

dtc124x-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
976+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2234LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2234LT1G за ціною від 0.67 грн до 12.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18293+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14706+0.96 грн
15152+0.93 грн
15626+0.90 грн
16130+0.84 грн
16854+0.75 грн
17442+0.69 грн
30000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.09 грн
6000+1.79 грн
9000+1.67 грн
15000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+2.70 грн
474+1.59 грн
523+1.44 грн
770+0.94 грн
785+0.86 грн
809+0.80 грн
1000+0.77 грн
3000+0.75 грн
6000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.95 грн
49+6.25 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.79 грн
100+7.55 грн
105+7.18 грн
106+6.86 грн
165+4.09 грн
250+3.87 грн
500+2.78 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 5382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18293+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14706+0.96 грн
15152+0.93 грн
15626+0.90 грн
16130+0.84 грн
16854+0.75 грн
17442+0.69 грн
30000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.09 грн
6000+1.79 грн
9000+1.67 грн
15000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
279+2.70 грн
474+1.59 грн
523+1.44 грн
770+0.94 грн
785+0.86 грн
809+0.80 грн
1000+0.77 грн
3000+0.75 грн
6000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.95 грн
49+6.25 грн
100+3.86 грн
500+2.62 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+12.79 грн
100+7.55 грн
105+7.18 грн
106+6.86 грн
165+4.09 грн
250+3.87 грн
500+2.78 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 5382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G 2337927.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G 2337927.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.