Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2234LT1G
MMUN2234LT1G

MMUN2234LT1G ON Semiconductor

dtc124x-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
976+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 976 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2234LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MMUN2234LT1G за ціною від 0.69 грн до 20.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18293+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14706+0.99 грн
15152+0.96 грн
15626+0.93 грн
16130+0.87 грн
16854+0.77 грн
17442+0.71 грн
30000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
6000+1.78 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+2.77 грн
474+1.63 грн
523+1.48 грн
770+0.97 грн
785+0.88 грн
809+0.82 грн
1000+0.79 грн
3000+0.77 грн
6000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 22137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
49+6.20 грн
100+3.83 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G onsemi dtc124x-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 20002 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
25+12.54 грн
41+7.45 грн
100+3.97 грн
500+2.94 грн
1000+2.50 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ON Semiconductor dtc124x-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.13 грн
100+7.75 грн
105+7.37 грн
106+7.04 грн
165+4.20 грн
250+3.97 грн
500+2.86 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI MMUN2234.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234LT1G ONSEMI 2337927.pdf Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18293+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14706+0.99 грн
15152+0.96 грн
15626+0.93 грн
16130+0.87 грн
16854+0.77 грн
17442+0.71 грн
30000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 14706 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.07 грн
6000+1.78 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
279+2.77 грн
474+1.63 грн
523+1.48 грн
770+0.97 грн
785+0.88 грн
809+0.82 грн
1000+0.79 грн
3000+0.77 грн
6000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 22137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.87 грн
49+6.20 грн
100+3.83 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 20002 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
41+7.45 грн
100+3.97 грн
500+2.94 грн
1000+2.50 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G dtc124x-d.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+13.13 грн
100+7.75 грн
105+7.37 грн
106+7.04 грн
165+4.20 грн
250+3.97 грн
500+2.86 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G MMUN2234.PDF
MMUN2234LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G 2337927.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2234LT1G 2337927.pdf
MMUN2234LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.