Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMUN2235LT1G
MMUN2235LT1G

MMUN2235LT1G ON Semiconductor

dtc123j-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2235LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMUN2235LT1G за ціною від 1.19 грн до 11.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.48 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9837+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 9837
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2235.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.04 грн
85+4.51 грн
100+3.82 грн
129+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ONSEMI MMUN2235.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+8.45 грн
51+5.62 грн
60+4.59 грн
100+3.58 грн
500+2.49 грн
852+1.26 грн
2343+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.03 грн
128+6.45 грн
291+2.83 грн
500+2.48 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.39 грн
52+6.58 грн
118+2.50 грн
1000+2.20 грн
3000+1.69 грн
9000+1.39 грн
24000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.91 грн
45+6.80 грн
100+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2235LT1G MMUN2235LT1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.