
MMUN2236LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2236LT1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції MMUN2236LT1G за ціною від 1.32 грн до 11.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 100kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Current gain: 80...150 кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2236LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 100kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Current gain: 80...150 |
товару немає в наявності |