MMUN2236LT1G

MMUN2236LT1G ON Semiconductor


dtc115ed.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+1.56 грн
100000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2236LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції MMUN2236LT1G за ціною від 1.09 грн до 12.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G Виробник : onsemi dtc115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.17 грн
6000+1.86 грн
9000+1.74 грн
15000+1.51 грн
21000+1.43 грн
30000+1.36 грн
75000+1.18 грн
150000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G Виробник : onsemi dtc115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 295000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.51 грн
49+6.49 грн
100+4.00 грн
500+2.72 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G Виробник : onsemi DTC115E-D.PDF Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 17093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.24 грн
49+7.26 грн
100+3.95 грн
500+2.81 грн
1000+2.51 грн
3000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc115e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc115ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMUN2236LT1G MMUN2236LT1G Виробник : ONSEMI dtc115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Current gain: 80...150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.