Технічний опис MMUN2236LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Power - Max: 246 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MMUN2236LT1G за ціною від 1.83 грн до 11.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMUN2236LT1G | onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 246 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MMUN2236LT1G | onsemi |
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT) |
на замовлення 13396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| MMUN2236LT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.10 грн |
| 49+ | 6.34 грн |
| 100+ | 3.91 грн |
| 500+ | 2.66 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| MMUN2236LT1G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
на замовлення 13396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.35 грн |
| 49+ | 6.73 грн |
| 100+ | 3.67 грн |
| 500+ | 2.61 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 3000+ | 1.83 грн |