
MMUN2238LT1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
27000+ | 1.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2238LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MMUN2238LT1G за ціною від 1.47 грн до 12.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1210895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only |
на замовлення 29444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 38905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMUN2238LT1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Current gain: 160...350 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MMUN2238LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Current gain: 160...350 |
товару немає в наявності |