Продукція > ONSEMI > MMUN2238LT1G
MMUN2238LT1G

MMUN2238LT1G onsemi

dtc123t-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMUN2238LT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

Інші пропозиції MMUN2238LT1G за ціною від 0.73 грн до 10.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ONSEMI 2337928.pdf Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 35335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4311+2.71 грн
7212+ 1.62 грн
9804+ 1.19 грн
11279+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 4311
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+8.62 грн
103+ 5.65 грн
234+ 2.48 грн
1000+ 1.43 грн
3000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 68
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : onsemi dtc123t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.67 грн
49+ 5.77 грн
100+ 3.1 грн
500+ 2.29 грн
1000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+8.76 грн
102+ 5.74 грн
230+ 2.52 грн
1000+ 1.45 грн
3000+ 0.99 грн
9000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 67
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : onsemi DTC123T_D-2311214.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 95990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.42 грн
50+ 6.14 грн
115+ 2.34 грн
1000+ 1.4 грн
3000+ 1.07 грн
9000+ 0.93 грн
24000+ 0.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ONSEMI 2337928.pdf Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 35335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+10.41 грн
110+ 6.85 грн
256+ 2.94 грн
500+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 72
MMUN2238LT1G Виробник : ONSEMI ONSMS25855-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2238LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1646297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMUN2238LT1G Виробник : ON dtc123t-d.pdf 07+;
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ON Semiconductor mmun2211lt1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ONSEMI dtc123t-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MMUN2238LT1G MMUN2238LT1G Виробник : ONSEMI dtc123t-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
товар відсутній