на замовлення 22554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 12.94 грн |
| 36+ | 8.56 грн |
| 100+ | 3.52 грн |
| 1000+ | 2.13 грн |
| 3000+ | 1.79 грн |
| 9000+ | 1.33 грн |
| 45000+ | 1.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMUN2241LT1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.
Інші пропозиції MMUN2241LT1G за ціною від 1.64 грн до 1.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMUN2241LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
MMUN2241LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| MMUN2241LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 407900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
MMUN2241LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
MMUN2241LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
MMUN2241LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 100kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
MMUN2241LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; 100kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 100kΩ |
товар відсутній |