MNS2N3637UBP Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/357
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Military
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MNS2N3637UBP Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A UB, Qualification: MIL-PRF-19500/357, Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Grade: Military, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MNS2N3637UBP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MNS2N3637UBP | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MNS2N3637UBP |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.