MNS2N3700UB Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A UB
Qualification: MIL-PRF-19500/391
Grade: Military
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MNS2N3700UB Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A UB, Qualification: MIL-PRF-19500/391, Grade: Military, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MNS2N3700UB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MNS2N3700UB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT MNS2N3700UB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MNS2N3700UB |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT MNS2N3700UB
Bipolar Transistors - BJT MNS2N3700UB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.