Інші пропозиції Модуль GD75HFY120C1S за ціною від 2969.30 грн до 3355.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD75HFY120C1S | Виробник : STARPOWER |
 Description: STARPOWER - GD75HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 380W euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 117A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 117A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| GD75HFY120C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |