MOT10N65F
Виробник: MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MOT10N65F MOT
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції MOT10N65F за ціною від 19.72 грн до 151.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MOT10N65F | MOT |
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MOT10N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MOT10N65F |
|
Виробник: MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP; MOT10N65F TO-220F T10N65F MOT
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.72 грн |
| MOT10N65F |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 0.67 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.44 грн |
| 10+ | 87.13 грн |
| 100+ | 52.31 грн |
| 500+ | 34.36 грн |
| 1000+ | 29.20 грн |