MOT30N06D

MOT30N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.


trenchsgtmOS_835.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
11+27.94 грн
100+16.75 грн
500+11.01 грн
1000+9.35 грн
2500+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MOT30N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V.

Інші пропозиції MOT30N06D за ціною від 7.18 грн до 7.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MOT30N06D Виробник : MOT- trenchsgtmOS_835.html Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2705; IRLR2705TR; IRLR2705TRL; IRLR2705-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D; IRLR2705TR MOT TIRLR2705 MOT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.