
MPLAD15KP51CAE3 Microsemi HI-REL [MIL]
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MPLAD15KP51CAE3 Microsemi HI-REL [MIL]
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD, Mounting: SMD, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 183A, Breakdown voltage: 56.7...62.7V, Leakage current: 10µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 15kW, Case: PLAD, Max. off-state voltage: 51V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MPLAD15KP51CAE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MPLAD15KP51CAE3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 183A Breakdown voltage: 56.7...62.7V Leakage current: 10µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 15kW Case: PLAD Max. off-state voltage: 51V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
MPLAD15KP51CAE3 | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
MPLAD15KP51CAE3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
MPLAD15KP51CAE3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 15kW; 56.7÷62.7V; 183A; bidirectional; PLAD Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 183A Breakdown voltage: 56.7...62.7V Leakage current: 10µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 15kW Case: PLAD Max. off-state voltage: 51V |
товару немає в наявності |